DDRescue より

フラッシュメモリーのデータの滅失には2種類があり、①よく知られている書換回数による劣化でデータ保持時間が短くなる現象と、②書き込まれたデータが自然に消えてしまう現象です。
②の場合も、直接はデータ保持時間に関係して発生するのですが、よく誤解されているのが、「データのリフレッシュ」動作です。

データのリフレッシュ動作は、電源に接続して電気の供給をすれば行われるのではなく、データの読み取り動作をしたときに、読み出すことができず、リードリトライ動作をおこなって読み出すことができた場合に、その読み出したデータをもう一度元の場所に書き込むことで実行されるのです。

ですから、書き込んだだけで、読み出したことの無いデータはいつまでたっても「データのリフレッシュ」は実行されないので、「何年もたって久しぶりにアクセスしたら消滅していた」ような現象は防ぐことができないのです。

SSDにはこの「データのリフレッシュ」機能がありますが、同じフラッシュメモリーを使っていても、SDカードやUSBメモリーでは「データのリフレッシュ機能」は規格に含まれていませんので注意が必要です。

TLCとMLCの違いは、SLCが理論値の判定を(電源電圧の1/2段階の)2レベル(0,1)で行うのに対し、MLCは(電源電圧の1/4段階の)4レベル(00,01,10,11)、TLCは(電源電圧の1/8段階の)8レベル(000,001,010,011,100,101,110,111)で行うので、劣化による変動が小さくても影響を受け易くなる(寿命が短い)のは当然です。